Scheda Tecnica
Articolo: RJH30E2
Descrizione: Silicon N Channel IGBT
High speed power switching
Polarità: NPN
Collector-emitter Tensione: 360v
Collector Corrente: 30a
Dissipazione: 20w
Tempo: td(on)0,02 us
Frequenza:
Contenitore: TO220FL
Pinning:
Complementare:
Marking: RJH30E2 020E
Articolo in sostituzione:
Produttore: THOSHIBA
Applicazioni / Application:
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
TheseScheda Tecnica are indicative only, for more precise information look in the data producer.
RoHS: