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AP4800BGM
AP 4800 BGM N-MOS D 30V 9,6A LOW RDS smd
Nuovo prodotto
AP 4800 BGM N-MOS D 30V 9,6A LOW RDS smd
Scheda Tecnica
Articolo: AP 4800BGM
Descrizione: IC N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Tensione:: 30V
Corrente: 9,6A
RDS(ON); 18mOHM
Contenitore: SO 8 SO8
Marking: 4800BGM
Articolo in sostituzione: AO4414
Produttore:AP
Applicazioni / Application:Simple Drive Requirement BVDSS 30V
Low On-resistance RDS(ON) 18mO
Fast Switching Characteristic
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
TheseScheda Tecnica are indicative only, for more precise information look in the data producer.
RoHS:
Articolo: AP 4800BGM
Descrizione: IC N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Tensione:: 30V
Corrente: 9,6A
RDS(ON); 18mOHM
Contenitore: SO 8 SO8
Marking: 4800BGM
Articolo in sostituzione: AO4414
Produttore:AP
Applicazioni / Application:Simple Drive Requirement BVDSS 30V
Low On-resistance RDS(ON) 18mO
Fast Switching Characteristic
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
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