SI 4435 DY IC P-MOS dz 30V 8,8A SO8 smd

Scheda Tecnica

Articolo: SI4435DY

Descrizione: 30V P-Channel PowerTrench MOSFET

Tensione: 30V

Corrente: 8.8A

Contenitore: SO-8

Marking: 4435
Posizione su scheda samsung modello LE32R86BDX/XEC - IC1108 Q409
Articolo in sostituzione:

Produttore:

Applications / FEATURES: Power management
Load switch
Battery protection
Low gate charge (17nC typical)
Fast switching speed
High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
High power and current handling capability

Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
TheseScheda Tecnica are indicative only, for more precise information look in the data producer.

RoHS: