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RJP30H2A
RJP 30H2A N-IGBT 360V 35A 60W TO-263
Nuovo prodotto
RJP 30H2A N-IGBT 360V 35A 60W TO-263
Scheda Tecnica
Articolo: RJP30H2A
Descrizione: Silicon N-Channel IGBT
High speed power switching
B1JBEN004
Polarità: N-CHANNEL (N-FET)
Tensione Drain-Source: 360V
Corrente: 35A
Dissipazione: 60W
RDS:
Contenitore:
Marking: RJP30H2A
Produttore:
Applicazioni / Application:Fast switching.
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
TheseScheda Tecnica are indicative only, for more precise information look in the data producer.
RoHS:
Articolo: RJP30H2A
Descrizione: Silicon N-Channel IGBT
High speed power switching
B1JBEN004
Polarità: N-CHANNEL (N-FET)
Tensione Drain-Source: 360V
Corrente: 35A
Dissipazione: 60W
RDS:
Contenitore:
Marking: RJP30H2A
Produttore:
Applicazioni / Application:Fast switching.
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
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