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RJP30H1
RJP 30H1 N-IGBT 360V 30A 40W TO-252 SMD
Nuovo prodotto
RJP 30H1 N-IGBT 360V 30A 40W TO-252 SMD
Scheda Tecnica
Articolo: RJP30H1DPD
Descrizione: Silicon N-Channel IGBT
High speed power switching
Polarità: N-CHANNEL (N-FET)
Tensione Drain-Source: 360V
Corrente: 30A
Dissipazione: 40W
Contenitore: TO252 SMD (DPAK)
Marking: RJP30H1
Produttore:
Applicazioni / Application:Fast switching.
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
These Scheda Tecnica are indicative only, for more precise information look in the data producer.
RoHS:
Articolo: RJP30H1DPD
Descrizione: Silicon N-Channel IGBT
High speed power switching
Polarità: N-CHANNEL (N-FET)
Tensione Drain-Source: 360V
Corrente: 30A
Dissipazione: 40W
Contenitore: TO252 SMD (DPAK)
Marking: RJP30H1
Produttore:
Applicazioni / Application:Fast switching.
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
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