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1 x RELÈ...52,7504 € -
1 x CONDENSATO...1,1575 € -
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1 x SPINA TNC...2,6078 € -
1 x RELÈ...14,1825 € -
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1 x ALIMENTATO...27,1755 € -
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1 x 2SJ 216...4,0869 € -
1 x CONDENSATO...0,7015 € -
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1 x WEBCAM USB...24,8697 € -
1 x PIASTRA...1,6226 € -
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1 x RISONATORE...1,6104 € - 1 x CONDENSATO...0,0000 €
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1 x POTENZIOME...10,4310 € -
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CT60AM18F
CT 60AM-18F N-IGBT/D 900V 30A TO-3PL ORIGINALE
Nuovo prodotto
CT 60AM-18F N-IGBT/D 900V 30A TO-3PL ORIGINALE
Scheda Tecnica
Articolo: CT60AM18F
Descrizione: IGBT Isulated gate bipolar transistor integrated fast recovery diode
Polarità: N-CHANNEL (N-FET)
Corrente: 60A
Tensione Drain-Source: 900V
RDS:
Dissipazione: 180W
Tempo:
Contenitore: TO3PL TO3PL
Pinning: 1: Gate 2: Collector 3: Emitter
Marking:
Articolo in sostituzione:
Produttore: MITSUBISHI
Complementare:
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
TheseScheda Tecnica are indicative only, for more precise information look in the data producer.
RoHS:
Articolo: CT60AM18F
Descrizione: IGBT Isulated gate bipolar transistor integrated fast recovery diode
Polarità: N-CHANNEL (N-FET)
Corrente: 60A
Tensione Drain-Source: 900V
RDS:
Dissipazione: 180W
Tempo:
Contenitore: TO3PL TO3PL
Pinning: 1: Gate 2: Collector 3: Emitter
Marking:
Articolo in sostituzione:
Produttore: MITSUBISHI
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