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GT20D101
GT 20D101 N-IGBT 250V 20A TO-3PL ORIGINAL
Nuovo prodotto
GT 20D101 N-IGBT 250V 20A TO-3PL ORIGINAL
Scheda Tecnica
Articolo: GT20D101
Descrizione: INSULTATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N-CHANNEL TYPE
Polarità:P-Channel
Tensione: 250V
Corrente: 20A
Dissipazione:
Contenitore: TO-3 PL
Pinning:
Articolo in sostituzione:
Complementare Tipo: GT20D201
Marking: GT20D201
Produttore: TOSHIBA
Applicazioni / Application:HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION
HIGH BREAKDOWN VOLTAGE
HIGH FORWARD TRANSFERT ADMITTANCE
ENHANCEMENTE-MODE
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
TheseScheda Tecnica are indicative only, for more precise information look in the data producer.
RoHS:
Articolo: GT20D101
Descrizione: INSULTATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N-CHANNEL TYPE
Polarità:P-Channel
Tensione: 250V
Corrente: 20A
Dissipazione:
Contenitore: TO-3 PL
Pinning:
Articolo in sostituzione:
Complementare Tipo: GT20D201
Marking: GT20D201
Produttore: TOSHIBA
Applicazioni / Application:HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION
HIGH BREAKDOWN VOLTAGE
HIGH FORWARD TRANSFERT ADMITTANCE
ENHANCEMENTE-MODE
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
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RoHS: