GT 20J321 N-IGBT/D 600V 20A 45W TO-220F

Scheda Tecnica

Articolo: GT20J321 B1JACQ008

Descrizione: Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Chanenel IGBT

Polarità: N-CHANNEL

Collector-emetter Tensione: 600V

Collector Corrente: 20A MAX 40A 1ms

Collector Dissipazione: 45W

Contenitore:

Articolo in sostituzione:

Marking: 20J321

Produttore:

Applicazioni / Application:High Power Switching Applications
Fast Switching Applications

Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
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TheseScheda Tecnica are indicative only, for more precise information look in the data producer.

RoHS: