Scheda Tecnica
Articolo: HGTG20N60A4
Descrizione: IGBT Isulated gate bipolar SMPS transistor integrated hyperfast (iperfast) recovery diode
Polarità: N-CHANNEL (N-FET)
Tensione Drain-Source: 600v
Corrente: 40A
Dissipazione: 290W
Contenitore: TO247 TO-247
Pinning: 1: Gate 2: Collector 3: Emitter
Articolo in sostituzione:
Tempo: 140ns
Marking: 20N60A4
Produttore: FAIRCHILD
Applicazioni / Application:This IGBT is ideal for many high voltage switching
applications operating at high frequencies where low
conduction losses are essential. This device has been
optimized for high frequency switch mode power
supplies.
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
TheseScheda Tecnica are indicative only, for more precise information look in the data producer.
RoHS: