Scheda Tecnica
Articolo: HGTG20N60B3
Descrizione: IGBT Isulated gate bipolar SMPS
Polarità: N-CHANNEL (N-FET)
Tensione Drain-Source: 600v
Corrente: 40A
Dissipazione: 165W
Resistence Drain-Soucer RDS:
Contenitore: TO247 TO-247
Pinning: 1: Gate 2: Collector 3: Emitter
Articolo in sostituzione: G20N60B3N, GT20N60B3 N, HG20N60B3
Tempo: 140ns
Marking:
Produttore:
Applicazioni / Application:
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
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RoHS: