Scheda Tecnica
Articolo: IRG4PH20KD
Descrizione: INSULATE GATE BIPOLAR TRANSISTOR ULTRA FAST
IGBT ultrafast soft recovery diode
Polarità: N-CHANNEL (N-FET)
Tensione: 1200V
Corrente: 22A
Dissipazione: 60W
Contenitore: TO-247AC TO247AC
Pinning: 1: Gate 2: Collector 3: Emitter
Articolo in sostituzione: 20N1203 20N12B3
Tempo: 80ns 350ns
Marking:
Produttore:
Applicazioni / Application:
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
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RoHS: