IRG 4PH30K N-CH IGBT 1200V 20A 100W

Scheda Tecnica

Articolo: IRG 4PH30K

Descrizione: INSULATE GATE BIPOLAR TRANSISTOR ULTRA FAST
IGBT ultrafast soft recovery diode

Polarità: N-CHANNEL (N-FET)

Tensione: 1200V

Corrente: 20A

Dissipazione: 100W

Contenitore: TO-247AC TO247AC

Pinning: 1: Gate 2: Collector 3: Emitter

Articolo in sostituzione: W12N120D

Tempo: 123ns 310ns

Marking:

Produttore:

Applicazioni / Application:

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RoHS: