IRG 4PH50S N-CH IGBT 1200V 57A 200W

Scheda Tecnica

Articolo: IRG4PH50S

Descrizione: INSULATE GATE BIPOLAR TRANSISTOR ULTRA FAST IGBT

Polarità: N-CHANNEL (N-FET)

Tensione: 1200V

Corrente: 57A

Dissipazione: 200W

Contenitore: TO-247AC TO247AC

Pinning: 1: Gate 2: Collector 3: Emitter

Articolo in sostituzione: BUP314

Tempo: 61ns 127ns

Marking:

Produttore:

Applicazioni / Application:

Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
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RoHS: