RJP 30E2 N-IGBT 360V 35A 50W TO-3P

Scheda Tecnica

Articolo: RJP30E2DPK-M0

Descrizione: Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Polarità: N-CHANNEL (N-FET)

Tensione Drain-Source: 360V

Corrente: 35A

Dissipazione:

RDS:

Contenitore: TO-3PSH

Pinning:

Articolo in sostituzione:

Tempo:

Marking: RJP30E2

Produttore:

Applicazioni / Application:Fast switching

Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
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RoHS: