Scheda Tecnica
Articolo: HGTG12N60A4D
Descrizione: 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Polarità: N-CHANNEL (N-FET)
Tensione: 600V
Corrente: 54A
Dissipazione: 167W
Contenitore: TO247
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Marking: 12N60A4D
Produttore: ON SEMICONDUCTOR MOTOROLA
Applicazioni / Application: This IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for high frequency switch mode power supplies
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RoHS: