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GT50JR22
GT 50JR22 N-IGBT/D 600V 50A TO-3P ORIGINALI TOSHIBA
Nuovo prodotto
GT 50JR22 N-IGBT/D 600V 50A TO-3P ORIGINALI TOSHIBA
Scheda Tecnica
Articolo: GT50JR22
Descrizione: Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT WITH DIODE
Polarità: N-CHANNEL IGBT
Tensione: 600V
Corrente: 50A
Dissipazione: 230W
Contenitore: TO3P
Marking: 50JR22
Produttore: TOSHIBA
Applicazioni / Application: Dedicated to Current-Resonant Inverter Switching Applications
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
These informations are indicative only, for more precise information look in the data producer.
RoHS:
Articolo: GT50JR22
Descrizione: Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT WITH DIODE
Polarità: N-CHANNEL IGBT
Tensione: 600V
Corrente: 50A
Dissipazione: 230W
Contenitore: TO3P
Marking: 50JR22
Produttore: TOSHIBA
Applicazioni / Application: Dedicated to Current-Resonant Inverter Switching Applications
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
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