RJP 30H2A N-IGBT 360V 35A 60W TO-220F

Scheda Tecnica

Articolo: RJP30H2A

Descrizione: Silicon N-Channel IGBT
High speed power switching

Polarità: N-CHANNEL (N-FET)

Tensione Drain-Source: 360V

Corrente: 35A

Dissipazione: 60W

Contenitore: TO220F

Marking: RJP30H2A

Produttore:

Applicazioni / Application:Fast switching.

Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.

Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.

These Scheda Tecnica are indicative only, for more precise information look in the data producer.

RoHS: