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HGTG30N60A4D
HGTG 30N 60A4D N-CH IGBT 600V 60A 463W TO-247
Nuovo prodotto
HGTG 30N 60A4D N-CH IGBT 600V 60A 463W TO-247
Scheda Tecnica
Articolo: HGTG30N60A4D
Descrizione: IGBT Isulated gate bipolar SMPS transistor with anti-parallel hyperfast (iperfast) diode
Polarità: N-CHANNEL
Tensione Drain-Source: 600V
Corrente: 60A
Dissipazione: 463 W
Contenitore: TO247
Pinning: 1: Gate 2: Collector 3: Emitter
Articolo similari: HG30N60A4D, G40N60UFD
Marking: 30N60A4D
Produttore:
Applicazioni / Application:high frequency switch mode power supplies
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
TheseScheda Tecnica are indicative only, for more precise information look in the data producer.
RoHS: YES SI
Articolo: HGTG30N60A4D
Descrizione: IGBT Isulated gate bipolar SMPS transistor with anti-parallel hyperfast (iperfast) diode
Polarità: N-CHANNEL
Tensione Drain-Source: 600V
Corrente: 60A
Dissipazione: 463 W
Contenitore: TO247
Pinning: 1: Gate 2: Collector 3: Emitter
Articolo similari: HG30N60A4D, G40N60UFD
Marking: 30N60A4D
Produttore:
Applicazioni / Application:high frequency switch mode power supplies
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
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RoHS: YES SI