AP 9T15 GH N-MOSFET 20V 12,5A TO252

Scheda Tecnica

Articolo: AP9T15GH-HF-3 AP9T15GHHF3

Descrizione: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Integrated diode
The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, ultra low on-resistance and
cost-effectiveness.

Polarità: N-CHANNEL

Tensione Drain-Source: 20 V

Corrente: 12,5 A

Dissipazione: 12,5 W

RDS: 50moHM

Contenitore: TO-252

Pinning: 1: Gate 2: Drain 3: Source

Articolo in sostituzione:

Tempo:

Marking: 9T15GH

Produttore: ADVANCED POWER

Applicazioni / Application:Low Gate Charge
Capable of 2.5V gate drive
Single Drive Requirement

Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
TheseScheda Tecnica are indicative only, for more precise information look in the data producer.

RoHS: