IPB 081N06 L3 N-MOS 60V 50A TO263-3

Scheda Tecnica

Articolo: IPB081N06-L3

Descrizione: Power-Transistor

Polarità: N-channel MOSFET

Tensione Drain-Source: 60V

Collector Corrente: 50A

RDS(on),max (SMD version): 8,1mOHM

Dissipazione: 79W

Contenitore: PG-TO263-3-2 SMD

Pinning:

Complementare:

Marking:

Articolo in sostituzione:

Produttore:

Applicazioni / Application:

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RoHS: