Scheda Tecnica
Articolo: IRF3205 S
Polarità: N-CHANNEL
Descrizione: HEXFET POWER MOSFET
integrated zener diode.
Polarità: N-CHANNEL (N-FET)
Continuous Corrente: 110A
Tensione: 55V
Resistence Drain-Soucer: 0,008oHM 0,008R 0R008
Dissipazione: 200W
Contenitore: D2PAK
Pinning: 1: Gate 2: Drain 3: Source
Articolo in sostituzione:
Produttore: IR INTERNATIONAL RECTIFIER
Annotazioni: Advance process technology ultra low on-resistance dynamic dv/dt rating
175°C operating temperature fast switching fully avalanche rated
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
TheseScheda Tecnica are indicative only, for more precise information look in the data producer.