Scheda Tecnica
Articolo: IRL2910S
Descrizione: HEXFET® Power MOSFET
Polarità: N-CHANNEL (N-FET) HEXFET® Power MOSFET
LOGIC LEVEL DIODE ZENER
Tensione Drain-Source: 100V
Corrente: 55A
Dissipazione: 200W
RDS: 0,026oHM 0R026 0,026R
Contenitore: D2Pak
Pinning:
Articolo in sostituzione:
Marking: L2910S
Produttore:
Applicazioni / Application:Logic-Level Gate Drive
Surface Mount
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
TheseScheda Tecnica are indicative only, for more precise information look in the data producer.
RoHS: