P 2804 BDG N-MOS 40V 10A 32W TO252/DPAK

Scheda Tecnica

Articolo: P2804 BDG

Descrizione: N-CHANNEL logic level LEVEL ENHCNCEMENT
MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
D.S. Integrated diode

Polarità: N-CHANNEL

Tensione Drain-Source: 40V

Corrente: 10A

Dissipazione: 32W

RDS: 0.0028

Contenitore: TO-252 / DPAK

Pinning: 1: Gate 2: Drain 3: Source

Articolo in sostituzione:

Complementare Tipo:

Marking:

Produttore:

Applicazioni / Application:

Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
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RoHS: