Scheda Tecnica
Articolo: STB12NM60N
Descrizione: N-channel SuperMESH power mosfet
Integrated diode
Second generation MDmesh™ Power MOSFET
Polarità: N-CHANNEL (N-FET)
Tensione Drain-Source: 650V
Corrente: 10A
Dissipazione: 25W
RDS: 0.35R
Contenitore: D2-PAK D2PAK
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Marking: B12NM60N
Produttore:
Applicazioni / Application:Switching applications
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RoHS: