Scheda Tecnica
Articolo: FQT 1N60C
Descrizione: N-Channel QFET® MOSFET
Polarità: N-CHANNEL (Q-FET)
Corrente: 0,2A
Voltaggio: 600V
Dissipazione: 2,1W
Contenitore: SOT223
Pinning: 1: Drain 2: Gate 3: Source
Marking: FQT1N60C
Articolo in sostituzione:
Produttore:
Applicazioni / Application: These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
These Technical information is indicative only, for more precise information look in the data producer.
RoHS: