FDA 18N50 N-MOS/d 500V 19A TO3PN

Scheda Tecnica

Articolo: FDA 18N50

Descrizione: N-CHANNEL MOSFET logic level enhancement mode fiel effect transistor integrated diode

Polarità: N-CHANNEL

Tensione Drain-Source: 500V

Corrente: 19A

Dissipazione:

RDS: 0,022oHM 0R022 0,022R

Contenitore: TO-3PN

Pinning: 1: Gate 2: Drain 3: Source

Articolo in sostituzione:

Tempo:

Marking: FDA 18N50

Produttore:

Applicazioni / Application:

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RoHS: