FQA 13N80 N-QFET 800V 12,6A 300W TO3P

Scheda Tecnica

Articolo: FQA13N80

Descrizione: N-CHANNEL MOSFET QFET Integrated diode

Polarità: N-CHANNEL (N-FET)

Tensione Drain-Source: 800V

Corrente: 12,6A

Dissipazione: 300W

RDS: 1,4oHM 1R4 1,4R

Contenitore: TO3P TO-3P

Pinning: 1: Gate 2: Drain 3: Source

Articolo in sostituzione: SSH7N80

Tempo:

Marking:

Produttore:

Applicazioni / Application:Fast switching

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RoHS: