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IRF610
IRF 610 N-CHANNEL HEXFET MOSFET
Nuovo prodotto
IRF 610 N-CHANNEL HEXFET MOSFET
Scheda Tecnica
Articolo: IRF610
Descrizione: N-Channel HEXFET POWER MOSFET integrated zener diode
Polarità: N-CHANNEL (N-FET)
Corrente: 3,3A
Tensione Drain-Source: 200V
RDS: 1,5oHM 1,5R 1R5
Dissipazione: 36W
Tempo:
Contenitore: TO220 TO-220
Pinning: 1: Gate 2: Drain 3: Source
Marking:
Articolo in sostituzione: IRF630 MTP5N20 2SK923 2SK924 2SK1391 2SK1921
Produttore:
Applicazioni / Application:
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
TheseScheda Tecnica are indicative only, for more precise information look in the data producer.
RoHS:
Articolo: IRF610
Descrizione: N-Channel HEXFET POWER MOSFET integrated zener diode
Polarità: N-CHANNEL (N-FET)
Corrente: 3,3A
Tensione Drain-Source: 200V
RDS: 1,5oHM 1,5R 1R5
Dissipazione: 36W
Tempo:
Contenitore: TO220 TO-220
Pinning: 1: Gate 2: Drain 3: Source
Marking:
Articolo in sostituzione: IRF630 MTP5N20 2SK923 2SK924 2SK1391 2SK1921
Produttore:
Applicazioni / Application:
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
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