IRF 730 N-CHANNEL HEXFET MOSFET

Scheda Tecnica

Articolo: IRF730

Descrizione: N-Channel HEXFET POWER MOSFET integrated zener diode

Polarità: N-CHANNEL (N-FET)

Corrente: 5,5A

Tensione Drain-Source: 400V

RDS: 1oHM 1R

Dissipazione: 74W

Tempo:

Contenitore: TO220 TO-220

Pinning: 1: Gate 2: Drain 3: Source

Marking:

Articolo in sostituzione: BUZ60 2SK552 2SK553 2SK1156 2SK1246

Produttore:

Applicazioni / Application:Fast switching

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RoHS: