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IRFB11N50AP
IRFB 11N50A N-MOS d 500V 11A 170W TO220
Nuovo prodotto
IRFB 11N50A N-MOS d 500V 11A 170W TO220
Scheda Tecnica
Articolo: IRFB11N50A
Descrizione: N-Channel SMPS Mosfet HEXFET POWER MOSFET
integrated zener diode.
Polarità: N-CHANNEL (N-FET)
Corrente: 11A
Tensione Drain-Source: 500V
RDS: 0,52oHM 0,52R 0R52
Dissipazione: 170W
Tempo:
Contenitore: TO220AB TO-200AB
Pinning: 1: Gate 2: Drain 3: Source
Marking:
Articolo in sostituzione:
Produttore:
Applicazioni / Application:SOSTITUISCE IRFIB7N50A IRFIB 7N50A
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
TheseScheda Tecnica are indicative only, for more precise information look in the data producer.
RoHS:
Articolo: IRFB11N50A
Descrizione: N-Channel SMPS Mosfet HEXFET POWER MOSFET
integrated zener diode.
Polarità: N-CHANNEL (N-FET)
Corrente: 11A
Tensione Drain-Source: 500V
RDS: 0,52oHM 0,52R 0R52
Dissipazione: 170W
Tempo:
Contenitore: TO220AB TO-200AB
Pinning: 1: Gate 2: Drain 3: Source
Marking:
Articolo in sostituzione:
Produttore:
Applicazioni / Application:SOSTITUISCE IRFIB7N50A IRFIB 7N50A
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
TheseScheda Tecnica are indicative only, for more precise information look in the data producer.
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