Scheda Tecnica
Articolo: PbF
Descrizione: HEXFET POWER MOSFET
integrated zener diode.
Polarità: N-CHANNEL
Corrente: 120A
Tensione Drain-Source: 75V
RDS: 4,6mOHM
Dissipazione: 230W
Contenitore: TO220AB TO-200AB
Pinning: 1: Gate 2: Drain 3: Source
Marking: IRFB3307Z
Articolo in sostituzione:
Produttore: INTERNATIONAL
Applicazioni / Application:
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
Uninterruptible Power Supply
High Speed Power Switching
Hard Switched and High Frequency Circuits
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
TheseScheda Tecnica are indicative only, for more precise information look in the data producer.
RoHS: