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IRFB4110PBF
IRFB 4110 N-MOS/dz 100V 180A 370W TO220AB
Nuovo prodotto
IRFB 4110 N-MOS/dz 100V 180A 370W TO220AB
Scheda Tecnica
Articolo: IRFB 4110PbF
Descrizione: HEXFET__Power MOSFET transistor
Integrated zener diode.
Tensione: 100V
Corrente: 180A
Dissipazione: 370W
RDS:
Contenitore: TO-220AB
Articolo similare: STP140NF75 - IRFB3307ZPbF FDP047AN08A0
Marking: IRFB4110
Produttore:
APPLICATIONS: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
Uninterruptible Power Supply
High Speed Power Switching
Hard Switched and High Frequency Circuits
Nota informativa Note information: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
TheseScheda Tecnica are indicative only, for more precise information look in the data producer.
RoHS:
Articolo: IRFB 4110PbF
Descrizione: HEXFET__Power MOSFET transistor
Integrated zener diode.
Tensione: 100V
Corrente: 180A
Dissipazione: 370W
RDS:
Contenitore: TO-220AB
Articolo similare: STP140NF75 - IRFB3307ZPbF FDP047AN08A0
Marking: IRFB4110
Produttore:
APPLICATIONS: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
Uninterruptible Power Supply
High Speed Power Switching
Hard Switched and High Frequency Circuits
Nota informativa Note information: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
TheseScheda Tecnica are indicative only, for more precise information look in the data producer.
RoHS: