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IRFBE30
IRFBE 30 N-MOS 800V 4,1A 125W TO-220
Nuovo prodotto
IRFBE 30 N-MOS 800V 4,1A 125W TO-220
Scheda Tecnica
Articolo: IRFBE30
Descrizione: N-Channel HEXFET POWER MOSFET integrated zener diode
Polarità: N-CHANNEL (N-FET)
Tensione Drain-Source: 800V
Corrente: 4,1A
Dissipazione: 125W
RDS: 3oHM 3R
Contenitore: TO220AB TO-220AB
Pinning: 1: Gate 2: Drain 3: Source
Articolo in sostituzione: BUZ81 2SK1639 2SK1501 2SK1807 BUZ80
Tempo:
Marking:
Produttore:
Applicazioni / Application:Fast switching
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
TheseScheda Tecnica are indicative only, for more precise information look in the data producer.
RoHS:
Articolo: IRFBE30
Descrizione: N-Channel HEXFET POWER MOSFET integrated zener diode
Polarità: N-CHANNEL (N-FET)
Tensione Drain-Source: 800V
Corrente: 4,1A
Dissipazione: 125W
RDS: 3oHM 3R
Contenitore: TO220AB TO-220AB
Pinning: 1: Gate 2: Drain 3: Source
Articolo in sostituzione: BUZ81 2SK1639 2SK1501 2SK1807 BUZ80
Tempo:
Marking:
Produttore:
Applicazioni / Application:Fast switching
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
TheseScheda Tecnica are indicative only, for more precise information look in the data producer.
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