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IRL530N
IRL 530N N-MOS/DZ 100V 17A TO-220
Nuovo prodotto
IRL 530N N-MOS/DZ 100V 17A TO-220
Scheda Tecnica
Articolo: IRL 530 N
Descrizione: N-Channel HEXFET POWER MOSFET integrated zener diode
Polarità: N-CHANNEL (N-FET)
Tensione Drain-Source: 100V
Corrente: 17A
Dissipazione:
RDS: 0,010oHM 0R010 0,010R
Contenitore: TO220AB TO-220AB
Pinning: 1: Gate 2: Drain 3: Source
Articolo in sostituzione:
Tempo:
Marking:
Produttore: IR International Rectifier
Applicazioni / Application:
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
TheseScheda Tecnica are indicative only, for more precise information look in the data producer.
Articolo: IRL 530 N
Descrizione: N-Channel HEXFET POWER MOSFET integrated zener diode
Polarità: N-CHANNEL (N-FET)
Tensione Drain-Source: 100V
Corrente: 17A
Dissipazione:
RDS: 0,010oHM 0R010 0,010R
Contenitore: TO220AB TO-220AB
Pinning: 1: Gate 2: Drain 3: Source
Articolo in sostituzione:
Tempo:
Marking:
Produttore: IR International Rectifier
Applicazioni / Application:
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
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