Carrello 0 Prodotto Prodotti (vuoto)
Nessun prodotto
Da determinare Spedizione
0,00 € Totale
Prodotto aggiunto al tuo carrello
Quantità
Totale
Ci sono 0 articoli nel tuo carrello. Il tuo carrello contiene un oggetto.
Totale prodotti
Totale spedizione Da determinare
Totale
KHB7D0N65F2
KHB 7D0N65 F2 N-MOS d 650V 7A 52W TO-220IS
Nuovo prodotto
KHB 7D0N65 F2 N-MOS d 650V 7A 52W TO-220IS
Scheda Tecnica
Articolo: KHB 7D0N65F2
Descrizione: N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH INTEGRATED DIODE
Polarità: N-CHANNEL
Tensione: 650V
Corrente: 7A
Dissipatione: 52W
Contenitore: TO-220F
Pinning: 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE
Marking: KHB7D0N65F
Articolo similare:
Produttore:
Applicazioni / Application: This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast
switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics.
It is mainly suitable for active power factor correction and switching mode power supplies.
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi. Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
These informations are indicative only, for more precise informations look in the data producer.
RoHS:
Articolo: KHB 7D0N65F2
Descrizione: N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH INTEGRATED DIODE
Polarità: N-CHANNEL
Tensione: 650V
Corrente: 7A
Dissipatione: 52W
Contenitore: TO-220F
Pinning: 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE
Marking: KHB7D0N65F
Articolo similare:
Produttore:
Applicazioni / Application: This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast
switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics.
It is mainly suitable for active power factor correction and switching mode power supplies.
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi. Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
These informations are indicative only, for more precise informations look in the data producer.
RoHS:
