Scheda Tecnica
Articolo: IRFP250N
Descrizione: N-Channel HEXFET POWER MOSFET integrated zener diode
Polarità: N-CHANNEL (N-FET)
Tensione Drain-Source: 200V
Corrente: 30A
Dissipazione: 214W
RDS: 0,075 Ohm
Contenitore: TO247AC TO-247AC
Articolo in sostituzione:
Marking: IRFP250N
Produttore:
Applicazioni / Application: Advanced Process Technology
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Ease of Paralleling
Simple Drive Requirements
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
These informations are indicative only, for more precise information look in the data producer.