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2SK1119
2SK 1119 N-MOS 1000V 4A 100W TOSHIBA
Nuovo prodotto
2SK 1119 N-MOS 1000V 4A 100W TOSHIBA
Scheda Tecnica
Articolo: 2SK1119
Descrizione: N-CHANNEL MOSFET integrated diode-MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
Polarità: N-CHANNEL
Tensione Drain-Source: 1V
Corrente: 4A
Dissipazione: 100W
RDS: 3ohm 3R
Contenitore: TO220AB TO-220AB
Pinning: 1: Gate 2: Source 3: Drain
Articolo in sostituzione: STP4N100
Complementare Tipo:
Marking:
Produttore:
Applicazioni / Application:DC-DC converter Power Motor control
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
TheseScheda Tecnica are indicative only, for more precise information look in the data producer.
RoHS:
Articolo: 2SK1119
Descrizione: N-CHANNEL MOSFET integrated diode-MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
Polarità: N-CHANNEL
Tensione Drain-Source: 1V
Corrente: 4A
Dissipazione: 100W
RDS: 3ohm 3R
Contenitore: TO220AB TO-220AB
Pinning: 1: Gate 2: Source 3: Drain
Articolo in sostituzione: STP4N100
Complementare Tipo:
Marking:
Produttore:
Applicazioni / Application:DC-DC converter Power Motor control
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
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