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2SK3798
2SK 3798 N-MOS 900V 4A 40W TO-220F TOSHIBA
Nuovo prodotto
2SK 3798 N-MOS 900V 4A 40W TO-220F TOSHIBA
Scheda Tecnica
Articolo: 2SK3798
Descrizione: TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (p-MOSIV)
Collector-emitter Tensione: 900V
Collector Corrente: 4A
Dissipazione: 40W
Contenitore: TO220F TO-220F
Pinning: 1: Gate 2: Drain 3: Source
Complementare:
Marking: 2SK3798
Articolo similare: 2SK2700
Produttore:
Applicazioni / Application:Switching Regulator Applications
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
TheseScheda Tecnica are indicative only, for more precise information look in the data producer.
RoHS:
Articolo: 2SK3798
Descrizione: TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (p-MOSIV)
Collector-emitter Tensione: 900V
Collector Corrente: 4A
Dissipazione: 40W
Contenitore: TO220F TO-220F
Pinning: 1: Gate 2: Drain 3: Source
Complementare:
Marking: 2SK3798
Articolo similare: 2SK2700
Produttore:
Applicazioni / Application:Switching Regulator Applications
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
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