Scheda Tecnica
Articolo: BC635
Descrizione: Epitaxial Silicon Transistor
Polarità: NPN
Collector-emitter Tensione: 45V
Collector Corrente: 1A
Dissipazione: 0,8W
Frequenza: 130MHz
Contenitore: TO92
Pinning: 1: Base 2: Collector 3: Emitter
Complementare: BC636
Marking:
Articolo in sostituzione: BC537 BC538 2N3700 2N3701 2SD667
Produttore:
Applicazioni / Application:
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
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RoHS: