2SC 3200 SI-N 120V 100mA 300mW JAPAN

Scheda Tecnica

Articolo: 2SC3200

Descrizione: SILICON NPN TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR TYPE (PCT PROCESS)

Polarità: NPN

Collector-emitter Tensione: 120V

Collector Corrente: 100mA

Resistence:

Dissipazione: 300mW

Reverse recovery Tempo:

Frequenza:

Contenitore: TO-92 TO92

Complementare:

Marking: C3200

Articolo in sostituzione:

Produttore: KEC

Applicazioni / Application:LOW NOISE AUDIO AMPLIFER APPLICATION

Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
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