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RJH60T4
RJH 60T4 N-CH IGBT/D 600V 90A High Speed 330W TO-247A
Nuovo prodotto
RJH 60T4 N-CH IGBT/D 600V 90A High Speed 330W TO-247A
Scheda Tecnica
Articolo: RJH60T4D
Descrizione: Silicon N Channel IGBT DIODE
High Speed Power Switching
Voltaggio: 600 V
Corrente: 90 A
Collector dissipation: 330W
Contenitore: TO247A
Articolo in sostituzione: MGF65A6H - MGF65AG6
Marking: RJH60T4
Produttore: RENESAS
Applicazioni / Application:
Trench gate and thin wafer technology
High speed switching
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
TheseScheda Tecnica are indicative only, for more precise information look in the data producer.
RoHS:
Articolo: RJH60T4D
Descrizione: Silicon N Channel IGBT DIODE
High Speed Power Switching
Voltaggio: 600 V
Corrente: 90 A
Collector dissipation: 330W
Contenitore: TO247A
Articolo in sostituzione: MGF65A6H - MGF65AG6
Marking: RJH60T4
Produttore: RENESAS
Applicazioni / Application:
Trench gate and thin wafer technology
High speed switching
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
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RoHS:
