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RJH60F7
RJH 60F7 N-CH IGBT/D 600V 90A 328W High Speed TO-247A
Nuovo prodotto
RJH 60F7 N-CH IGBT/D 600V 90A 328W High Speed TO-247A
Scheda Tecnica
Articolo: RJH60F7ADPKA0
Descrizione: Silicon N Channel IGBT
High Speed Power Switching
Voltaggio: 600V
Corrente: 90A
dissipation: 328W
Contenitore: TO247A
Articolo similari: RJH60F5 - RJH60T4
Marking: RJH60F7
Produttore: RENESAS
Applicazioni / Application:
Built in fast recovery diode in one package
Trench gate and thin wafer technology
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
TheseScheda Tecnica are indicative only, for more precise information look in the data producer.
RoHS:
Articolo: RJH60F7ADPKA0
Descrizione: Silicon N Channel IGBT
High Speed Power Switching
Voltaggio: 600V
Corrente: 90A
dissipation: 328W
Contenitore: TO247A
Articolo similari: RJH60F5 - RJH60T4
Marking: RJH60F7
Produttore: RENESAS
Applicazioni / Application:
Built in fast recovery diode in one package
Trench gate and thin wafer technology
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
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RoHS:
