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2SB649A
2SB 649A (C) SI-P 180V 1,5A 20W TO-126 ORIGINALI HITACHI
Nuovo prodotto
2SB 649A (C) SI-P 180V 1,5A 20W TO-126 ORIGINALI HITACHI
Scheda Tecnica
Articolo: 2SB649A
Descrizione: PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
Polarità: PNP
Collector to emitter Tensione: 180V
Corrente: 1,5A
Dissipazione: 20W
Contenitore: TO-126
Pinning: 1: Emitter 2: Collector 3: Base
Articolo in sostituzione:
Complementare Tipo: 2SD669A
Marking:
Produttore:
Applicazioni / Application:Low frequency power amplifier
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
TheseScheda Tecnica are indicative only, for more precise information look in the data producer.
RoHS:
Articolo: 2SB649A
Descrizione: PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
Polarità: PNP
Collector to emitter Tensione: 180V
Corrente: 1,5A
Dissipazione: 20W
Contenitore: TO-126
Pinning: 1: Emitter 2: Collector 3: Base
Articolo in sostituzione:
Complementare Tipo: 2SD669A
Marking:
Produttore:
Applicazioni / Application:Low frequency power amplifier
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
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