Scheda Tecnica
Articolo: 2SD669A / 2SB649A
Descrizione: N/P SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
Polarità: N-CHANNEL D669A
Polarità: P-CHANNEL B649A
Tensione: 180V
Corrente: 1,5A
Dissipazione: 20W
Contenitore: TO-126
Produttore:
Applicazioni / Application: Low frequency power amplifier
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
RoHS: