Scheda Tecnica
Articolo: 2SK2010
Descrizione: N-Channel Silicon MOSFET - Ultrahigh-Speed Switching Applications
G.S. Integrated two zener diode
D.S. Integrated diode
Polarità: N-CHANNEL
Tensione: 250V
Corrente: 16A
Dissipazione: 25W
RDS: 0,5oHM - 0R5
Contenitore: TO-220ML
Pinning: 1: Gate 2: Drain 3: Source
Articolo similari:
Complementare Tipo:
Marking: K2010
Produttore:
Applicazioni / Applictions: Low ON resistance.
Ultrahigh-speed switching.
Low-voltage drive.
Micaless package facilitating mounting.
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
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These informations are indicative only, for more precise information look in the data producer.
RoHS: